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2017年4月 5日 (水)

150mW超(発光波長265nm)世界最高出力の深紫外LEDの開発に成功

2017年4月4日
国立研究開発法人情報通信研究機構
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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ポイント
 
・シングルチップ・室温・連続駆動
 において、世界最高出力となる
 光出力150mW超を達成
 
・深紫外LEDの光取出し特性と放熱特性を
 同時に向上させるナノ構造技術の開発に
 成功
 
・深紫外265nm帯LEDで、世界初の実用域
 (100mW)超により、産業実用化に期待
 
 
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 NICT 未来ICT研究所において、
深紫外光ICTデバイス先端開発センター
井上 振一郎 センター長らの
研究グループは、光出力150mWを超える
世界最高出力の深紫外LED
(発光ダイオード)の開発に成功しました。
 
 波長200~300nmで発光する深紫外LEDは、
塩素などの有害な薬剤を用いない
光のみによるウィルスの殺菌・無害化や
水銀ランプの代替などが期待されています。
 
 水銀フリーかつ小型で手軽に
機器に取り付けることができるため、
医療から環境、ICT分野まで幅広い分野の
産業、生活、社会インフラに対して
画期的な技術革新をもたらす可能性が
あります。
 
 しかし、これまでは、本格的に
普及させるにはその光出力が十分では
ありませんでした。
 
 今回、本研究グループは、深紫外LEDの
光取出し特性と放熱特性を同時に
向上させる独自のナノ光・ナノフィン構造
をナノインプリント技術を用いて
チップ全面に形成することで、
光出力飽和現象を大幅に抑制し、
発光波長265nm、
シングルチップ・室温・連続駆動において
世界最高出力となる150mW超を
達成しました。
 
 この結果は、殺菌性の最も高い
265nm帯LEDにおいて実用域の100mWを
超える初めての報告であり、
深紫外LEDの今後の社会普及を一段と
加速させる技術として期待されます。
 
 本研究は、株式会社トクヤマと
共同で行ったものです。
 
 また本成果の一部は、国立研究開発法人
科学技術振興機構(JST)A-STEP事業
(課題番号: AS2525010J及びAS2715025R、
 研究責任者: 井上 振一郎)の支援の下
に実施されました。
 
 なお、本成果は、米国応用物理学会誌
Applied Physics Letters
(電子版: 日本時間2017年4月4日(火)
13:00)に掲載されます。
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 素晴らしい。
 
 関連投稿です。
2015年4月1日
国立研究開発法人 情報通信研究機構
 
 この記録を越えました。
 これで十分実用化のレベルに達し
ましたね。
 
 実製品として世に出るのは
いつ頃なのかな?

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