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2016年4月19日 (火)

「SiC高品質薄板化エピウエハ」の製品開発に成功―東洋炭素が製品化、サンプル供給を開始―

2016年4月14日
新エネルギー・産業技術総合開発機構
東洋炭素株式会社
関西学院大学
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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 NEDOプロジェクトにおいて、東洋炭素
(株)と関西学院大学は、
コア技術の「Si蒸気圧エッチング技術」を
用いた「SiCウエハの平坦表面処理技術」
を完成、従来の処理法に比べて欠陥を
1/20に低減しました。
 
 さらに、この「Si蒸気圧エッチング技術」
を応用することで、ウエハ薄板化加工も
容易となり、高品質薄板化SiCエピウエハ
の製造を可能としました。
 
 この技術を用いることでSiCデバイスの
実用化が加速、自動車や機器の省エネ化を
可能にします。
 
 東洋炭素(株)は、これらの開発技術を
統合して、量産製造装置の導入、製品化し、
特定顧客へ「高品質薄板化SiCエピウエハ」
のサンプル供給を開始しました。
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>従来の処理法に比べて欠陥を1/20に
>低減しました。
 
 良さそうですね。
 心做しかどうか良くわかりませんが、
産学協同が進みつつあるかな?
 
>当該技術薄板化ウエハと機械研磨薄板化
>ウエハの強度の比較を行うと、
>当該技術薄板化ウエハの強度が
>一桁高いことが明らかとなりました
>(図4)。
>その品質がデバイス処理工程に
>耐えうる強度であることが明らかと
>なり、今後のデバイスの工程短縮
>ならびにコストダウンに一躍を担う
>技術として期待されます。
 
>半導体SiCによるパワーデバイスは、
>半導体Siに比べ優れた電気的特性を持ち
>電力変換に伴う損失の大幅な低減を
>可能とするため、自動車に搭載する
>ことで燃費を約10%改善することが
>期待されています。
 
 良いですね。期待したい。

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