鉄系超伝導体の臨界温度が4倍に上昇

鉄系超伝導体の臨界温度が4倍に上昇

―絶縁性薄膜に電界印加で35ケルビンに―

2016.04.07　東京工業大学

詳細は、リンクを参照して下さい。

又、超伝導の話しでスミマセン。

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　東京工業大学 科学技術創成研究院

フロンティア材料研究所の平松秀典准教授、

元素戦略研究センターの細野秀雄教授と

半沢幸太大学院生らは、

鉄系超伝導体[用語1]の一つである

鉄セレン化物「FeSe」のごく薄い膜を

作製し、8ケルビン

（K＝絶対温度、0Kはマイナス273℃）で

超伝導を示すバルク（塊）より4倍高い

35Kで超伝導転移させることに成功した。

　FeSe薄膜が超伝導体ではなく、

絶縁体[用語2]のような振る舞いを示す

ことに着目し、電気二重層トランジスタ

[用語3] [用語4]構造を利用して電界を

印加することにより実現した。

　トランジスタ構造を利用した

キャリア生成方法は、一般的な元素置換

によるキャリア生成とは異なり、

自由にかつ広範囲にキャリア濃度を

制御できる特徴がある。

　このため、元素置換によるキャリア添加

が不可能な物質でも適用が可能なことから、

今後の鉄系層状物質でより高い

超伝導臨界温度の実現を狙う有力な方法

になると期待される。

　成果は3月29日（米国時間28日）に

「米国科学アカデミー紀要

（Proceedings of the National Academy

　of Sciences of the United States of

　America）」のオンライン速報版に

掲載された。

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　銅酸化物系のTcの方が2倍以上高い。

とのこと。

＞「絶縁体」母相のほうがより高Tcに

＞つながる可能性がある

　ふ～ん。

＞今回の結果により、高Tc実現のための

＞物質選択および実験手法の選択の

＞両方の有用性を示すことができた。

＞今後、より高いTcの超伝導体探索の

＞新しいルートを提供するといえる。

　期待しましょう。