世界最高性能のプロセッサ用メモリ回路を開発 ―ノーマリーオフ技術を適用、従来比消費電力10分の1以下を達成―

世界最高性能のプロセッサ用メモリ回路

を開発

―ノーマリーオフ技術を適用、

従来比消費電力10分の1以下を達成―

2016年2月1日

新エネルギー・産業技術総合開発機構

詳細は、リンクを参照して下さい。

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　NEDOのプロジェクトにおいて、

（株）東芝と東京大学は、コンピュータの

キャッシュメモリ用に十分な高速性能を

有し、従来の混載メモリ（SRAM）

と比較して消費電力を10分の1以下の

4Mビットクラスの新方式磁性体メモリ

（STT-MRAM）回路を開発しました。

　これはあらゆる種類のメモリと

比較して世界最高の電力性能となります。

　今回、（株）東芝と東京大学は、

その成果を半導体回路国際会議

ISSCC2016において、2月2日

（現地時間）に発表します。

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＞今回、現状の課題を解決するために、

＞具体的にはメモリ制御回路部を

＞ノーマリーオフ動作状態に近づける

＞ため、100ns以下で高速に

＞電力遮断・復帰が可能な回路を開発し、

＞メモリ動作状態に応じて動作に必要な

＞部分以外は高速で電源遮断できるように

＞改良しました。

＞主な動作モードでの実測値として、

＞キャッシュメモリアクセスの

＞平均待機時間（約30ns）よりも短い、

＞最速22nsで電源遮断後からの復帰を

＞確認しています。

＞また、メモリのデータを一度確認して

＞不要な書き込みを止めることで

＞書き込み動作の消費電力を削減する

＞技術を採用しています。

＞さらに、電源を遮断できる時間を

＞できるだけ長くするために、

＞メモリアクセスパターンを

＞モニターして、次のアクセスパターンを

＞高い正解率で予測するアルゴリズムも

＞開発しました。

＞さらに、これらの技術により、

＞従来の揮発性メモリ（SRAM）と比較して

＞消費電力を10分の1以下にまで

＞削減することができました。

　素晴らしいですね。

　コンピュータの省電力化に貢献出来そう

です。