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2016年2月16日 (火)

世界最高性能のプロセッサ用メモリ回路を開発 ―ノーマリーオフ技術を適用、従来比消費電力10分の1以下を達成―

2016年2月1日
新エネルギー・産業技術総合開発機構
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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 NEDOのプロジェクトにおいて、
(株)東芝と東京大学は、コンピュータの
キャッシュメモリ用に十分な高速性能を
有し、従来の混載メモリ(SRAM)
と比較して消費電力を10分の1以下の
4Mビットクラスの新方式磁性体メモリ
(STT-MRAM)回路を開発しました。
 
 これはあらゆる種類のメモリと
比較して世界最高の電力性能となります。
 
 今回、(株)東芝と東京大学は、
その成果を半導体回路国際会議
ISSCC2016において、2月2日
(現地時間)に発表します。
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>今回、現状の課題を解決するために、
>具体的にはメモリ制御回路部を
>ノーマリーオフ動作状態に近づける
>ため、100ns以下で高速に
>電力遮断・復帰が可能な回路を開発し、
>メモリ動作状態に応じて動作に必要な
>部分以外は高速で電源遮断できるように
>改良しました。
 
>主な動作モードでの実測値として、
>キャッシュメモリアクセスの
>平均待機時間(約30ns)よりも短い、
>最速22nsで電源遮断後からの復帰を
>確認しています。
>また、メモリのデータを一度確認して
>不要な書き込みを止めることで
>書き込み動作の消費電力を削減する
>技術を採用しています。
>さらに、電源を遮断できる時間を
>できるだけ長くするために、
>メモリアクセスパターンを
>モニターして、次のアクセスパターンを
>高い正解率で予測するアルゴリズムも
>開発しました。
>さらに、これらの技術により、
>従来の揮発性メモリ(SRAM)と比較して
>消費電力を10分の1以下にまで
>削減することができました。
 
 素晴らしいですね。
 
 コンピュータの省電力化に貢献出来そう
です。

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