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2016年2月 6日 (土)

グラフェンの超伝導化に成功 -『質量ゼロ』の電子が『抵抗ゼロ』で流れる-

2016年2月 4日 東北大学プレスリリース
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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 東北大学原子分子材料科学高等研究機構
(AIMR)の高橋隆教授および
東京大学大学院理学系研究科の
一ノ倉聖大学院生と長谷川修司教授の
研究グループは、グラフェンを超伝導
にすることに成功しました。
 
 グラフェンは内部に"質量ゼロ"の
高速電子を持つことから、
高速電子デバイス材料として大きな注目を
集めていますが、今回の超伝導化の成功
により、その電子を"抵抗ゼロ"で流すこと
を可能にしたことで、
超高速超伝導ナノデバイスへの応用開発
がさらに進むものと考えられます。
 
 本成果は、平成28年1月29日
(米国東部時間)に、米化学会誌
「ACS Nano」オンライン速報版に
掲載されました。
 
 
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>実験からは、グラフェン中を移動する
>電子の速度は、半導体のシリコン中に
>比べ 200 倍以上速いことが分かって
>います。
 
 超高速ということにちょっと疑問が
あります。
 
 じつはこういう記事を見まして、
YAHOO!知恵袋で、
の中で、
 
・電流の速さは電子の速さである
 ・・間違い
 
・電流の速さは電場変位伝達の早さである
 ・・正しい
 となっていまして、
 
 素人なもので電流の速度は電子の速度と
関係しているのかな?
 と思っていたら、そうではないと、
 
 そうすると電子の速度が速いからと
いって高速デバイスには直結しない
よね。と、
 
 でも、よく読んでみると、電流の速度
には自由電子が絡んでいて、、
自由電子が、グラフェン中にはないので
電子の速度が速いということに意味が
出てくる?
 
 難しいですね。
 
>超高速超伝導ナノデバイスへの応用開発
>がさらに進むものと考えられます。
 
 とのことなので期待して待ちましょう。

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