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2015年11月22日 (日)

常識を覆し、光で電気の流れを止める-10兆分の1秒の高速光スイッチングデバイスに道-

2015年10月21日
東北大学プレスリリース
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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 東京工業大学大学院理工学研究科の
深谷亮産学官連携研究員
(現高エネルギー加速器研究機構特任助教)、
沖本洋一准教授、腰原伸也教授、
同応用セラミックス研究所の
笹川崇男准教授、東北大学大学院
理学研究科の石原純夫教授らの
研究グループは、銅酸化物超伝導体中の
電気の流れをレーザー光でオフ・オンする
方法を発見しました。
 
 光を使って金属的物質(導体)を
絶縁体にする(電気の流れを止める)
ことは困難とされていましたが、
梯子(はしご)構造を有する材料の
特異なホールペアの動きを利用して、
光励起による電気の流れのオフ・オンを
初めて実現しました
(「隠れた絶縁体状態」と呼ばれる)。
 
 さらに光パルス列を対象試料に照射する
ことで、室温を含む広い温度域で
1ピコ(1ピコは1分の1)秒以内に
絶縁体⇔金属の変化を双方向で切り替える
ことにも成功しました。
 
 これにより、室温かつ10兆分の1秒以下
で超高速動作する次世代光スイッチング
デバイス開発へ道を拓くことが期待
されます。
 
 
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 「はじめて」というのが良いですね。
 
>ホールペアの動きを光制御すること
>により実現する「隠れた絶縁体状態」を
>利用した絶縁体⇔金属双方向光
>スイッチングは、これまでの概念を覆す
>新しい光制御機構である。
 
 「これまでの概念を覆す」というのは
研究者にとっては最高の瞬間だと思う。
 
 
>新規な光制御技術・光機能性物質の
>開発に明確な指針を与えるだけでなく、
>室温を含む広範囲の温度域で高速に動作
>する次世代光スイッチングデバイスへの
>応用展開に向けて大きく前進すると
>期待される。
 
 期待しましょう。

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