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2015年1月11日 (日)

広島大学が産・官の協力を得て開発したトランジスタモデル「HiSIM-SOTB」が日本で4つめの国際標準に選定

2015/01/09 産業技術総合研究所
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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 国立大学法人 広島大学HiSIM研究センター
(図1)が、独立行政法人 産業技術総合
研究所(以下、産総研という)を
はじめとする産・官の協力を得て開発した、
トランジスタコンパクトモデル
「HiSIM-SOTB(Hiroshima university
STARC IGFET Model Silicon-on-Thin
BOX)」が、2014年6月20日に
米国・ワシントン市で開催された
Silicon Integration Initiative (Si2)、
Compact Modeling Coalition (CMC)会議
において、約2年にわたる国際標準化活動
を経て国際標準モデルに選定され、
2014年12月18日に、産業界の利用に耐える
標準モデルとして公開されることが
決定しました。
 
 この決定を受けて、広島大学は、
2015年1月9日からHiSIM-SOTBを
HiSIM研究センター・ホームページ
(http://www.hisim.hiroshima-u.ac.jp/)
にて一般公開します。
 
 これにより、極低電圧分野の集積回路
回路設計・製品開発に迅速に対応できる
体制が整います。
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>日本で4つめの国際標準に選定
 
 素晴らしいですね。
 
>今回、一般の設計者が必要とするモデル
>を標準化するという新しい動きを作った
>ことも評価に値すると考えられます。
 
 おおいに評価したい。
 
>今後設計力がさらに重要になってくる、
>あらゆるタイプのトランジスタに
>対しても実現可能で、産・官・学
>それぞれの強みを生かす協力体制を
>築くことによって、省エネ半導体分野
>において国内企業が世界に先行する
>鍵を握ることが期待できます。
 
 省エネ半導体の実現が強く求められて
います。
 
 おおいに期待したい。

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