広島大学が産・官の協力を得て開発したトランジスタモデル「HiSIM-SOTB」が日本で４つめの国際標準に選定

広島大学が産・官の協力を得て開発した

トランジスタモデル「HiSIM-SOTB」が

日本で４つめの国際標準に選定

－迅速な開発シナリオの実現－

2015/01/09　産業技術総合研究所

詳細は、リンクを参照して下さい。

---------------------------------------

　国立大学法人 広島大学HiSIM研究センター

（図１）が、独立行政法人 産業技術総合

研究所（以下、産総研という）を

はじめとする産・官の協力を得て開発した、

トランジスタコンパクトモデル

「HiSIM-SOTB(Hiroshima university

STARC IGFET Model Silicon-on-Thin

BOX)」が、2014年6月20日に

米国・ワシントン市で開催された

Silicon Integration Initiative (Si2)、

Compact Modeling Coalition (CMC)会議

において、約2年にわたる国際標準化活動

を経て国際標準モデルに選定され、

2014年12月18日に、産業界の利用に耐える

標準モデルとして公開されることが

決定しました。

　この決定を受けて、広島大学は、

2015年1月9日からHiSIM-SOTBを

HiSIM研究センター・ホームページ

（http://www.hisim.hiroshima-u.ac.jp/）

にて一般公開します。

　これにより、極低電圧分野の集積回路

回路設計・製品開発に迅速に対応できる

体制が整います。

---------------------------------------

＞日本で４つめの国際標準に選定

　素晴らしいですね。

＞今回、一般の設計者が必要とするモデル

＞を標準化するという新しい動きを作った

＞ことも評価に値すると考えられます。

　おおいに評価したい。

＞今後設計力がさらに重要になってくる、

＞あらゆるタイプのトランジスタに

＞対しても実現可能で、産・官・学

＞それぞれの強みを生かす協力体制を

＞築くことによって、省エネ半導体分野

＞において国内企業が世界に先行する

＞鍵を握ることが期待できます。

　省エネ半導体の実現が強く求められて

います。

　おおいに期待したい。