線幅20nm磁壁移動メモリ素子の動作を実証～優れた微細化特性と高速・低消費電力性能を確認～

線幅20nm磁壁移動メモリ素子の動作を実証

～優れた微細化特性と高速・低消費電力

性能を確認～

2013年12月10日

東北大学プレスリリース

詳細は、リンクを参照して下さい。

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　国立大学法人東北大学

省エネルギー・スピントロニクス集積化

システムセンターの大野英男センター長

のグループは、国立大学法人京都大学

化学研究所の小野輝男教授らのグループ

との共同研究により、スピントロニクス

論理集積回路への適用が期待されている

磁壁移動メモリ素子の試作・評価を行い、

当素子が非常に優れた微細化特性

（スケーラビリティ）と高速・低消費電力

性能を有していることを明らかにしました。

　今回同グループは磁壁移動素子としては

世界最小となる線幅20 nmの素子を作製し、

良好な動作を確認するとともに、

過去の報告値を一桁超下回る世界最小の

電力で磁壁移動による情報の書き換えが

可能であることを示しました。

　これらの成果は、磁壁移動素子が最先端、

及び次世代の半導体論理集積回路との

親和性に優れており、また当素子を混載

したスピントロニクス論理集積回路が多彩

な応用へと展開できる汎用性の高い技術

であることを意味しています。

詳細（プレスリリース本文）PDF

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　素晴らしいですね。

＞これらの成果は、磁壁移動素子が

＞最先端、及び次世代の半導体論理集積回路

＞との親和性に優れており、また当素子を

＞混載したスピントロニクス論理集積回路が

＞多彩な応用へと展開できる汎用性の高い

＞技術であることを意味しています。

　とのこと

　期待したい。