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2014年1月 6日 (月)

線幅20nm磁壁移動メモリ素子の動作を実証~優れた微細化特性と高速・低消費電力性能を確認~

2013年12月10日
東北大学プレスリリース
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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 国立大学法人東北大学
省エネルギー・スピントロニクス集積化
システムセンターの大野英男センター長
のグループは、国立大学法人京都大学
化学研究所の小野輝男教授らのグループ
との共同研究により、スピントロニクス
論理集積回路への適用が期待されている
磁壁移動メモリ素子の試作・評価を行い、
当素子が非常に優れた微細化特性
(スケーラビリティ)と高速・低消費電力
性能を有していることを明らかにしました。
 
 今回同グループは磁壁移動素子としては
世界最小となる線幅20 nmの素子を作製し、
良好な動作を確認するとともに、
過去の報告値を一桁超下回る世界最小の
電力で磁壁移動による情報の書き換えが
可能であることを示しました。
 
 これらの成果は、磁壁移動素子が最先端、
及び次世代の半導体論理集積回路との
親和性に優れており、また当素子を混載
したスピントロニクス論理集積回路が多彩
な応用へと展開できる汎用性の高い技術
であることを意味しています。
 
 
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 素晴らしいですね。
 
>これらの成果は、磁壁移動素子が
>最先端、及び次世代の半導体論理集積回路
>との親和性に優れており、また当素子を
>混載したスピントロニクス論理集積回路が
>多彩な応用へと展開できる汎用性の高い
>技術であることを意味しています。
 とのこと
 
 期待したい。

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