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2013年6月26日 (水)

次世代の半導体製造の速度を10倍以上にする技術を確立

平成25年6月24日
科学技術振興機構
大阪大学
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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 大阪大学 産業科学研究所の田川 精一
招へい教授、大島 明博 招へい准教授らの
研究グループは最先端の半導体デバイス製造
のスループット(1時間あたりの半導体
ウエハーの処理枚数)を10倍以上向上
させる技術を開発しました。
 
 次世代の最先端の半導体デバイスの
製造のためのリソグラフィ技術の本命として
開発が進められている1台100億円と
言われる極端紫外線(Extreme 
Ultra Violet:EUV)
リソグラフィの露光装置では、露光光源の
パワーが低いため、スループットが目標の
10分の1程度と低いことが最大の課題
でした。
 
 我々が体系化し、現在、世界中の
レジストメーカーが開発の指針としている
標準的な反応理論に基づいたレジストの
高感度化は、ほぼ限界に近づいており、
10分の1程度と低い露光パワーでは
目標のスループットに到達できないので、
現在、光源開発を待つ状態が続いて
います。
 
 我々は基本に立ち返って、露光プロセス
と感光性樹脂(レジスト)の両方を同時に
根本的に変革し、我々が体系化した
標準的な反応理論に縛られない、
10分の1程度の低いパワーの
EUV露光でもレジストの反応性を高めて
目標のスループットに到達できる新しい
技術体系を開発しました。
 
 これにより、長年にわたって、産業界が
望んでいた次世代のリソグラフィ技術の
本命であるEUVリソグラフィの早期の
実用化が実現することになります。
 
 本成果は、科学技術振興機構の戦略的
創造研究推進事業 チーム型研究
(CREST)「極微細加工用レジスト
研究とプロセスシミュレーターの開発
(平成19~24年度)」
(研究総括:渡辺 久恒、
研究代表者:田川 精一)によって得られ
ました。
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 素晴らしいです。
 
 速度を10倍以上にするというのは
すごいことです。
 速度が10倍違えば、今までのやり方は
なんだったんだ、と言うくらい違う。
 
 期待したい。

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