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2013年6月21日 (金)

“酸化ガリウム(Ga2O3)MOSトランジスタ”を世界で初めて実現!

2013年6月19日
情報通信研究機構プレスリリース
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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 独立行政法人情報通信研究機構は、
株式会社タムラ製作所、株式会社光波と
共同で、新しいワイドギャップ半導体材料
である酸化ガリウム(Ga2O3)を用いた
実用性に優れたMOSトランジスタの開発に
世界に先駆けて成功しました。
 
 Ga2O3は、そのワイドギャップに代表
される材料物性から、高耐圧・低損失な
パワーデバイス用途の新しい半導体材料
として非常に有望です。
 
 また、酸化ガリウムは、
シリコンカーバイド(SiC)、
窒化ガリウム(GaN)といった既存の
ワイドギャップ半導体では不可能な
融液成長法による単結晶基板の作製が可能
であることから、基板サイズの拡大や、
製造に必要なエネルギーやコストの大幅な
削減が見込まれます。
 
 今回開発したGa2O3 MOSトランジスタは、
そのまま実用可能といえる構造、特性を
有します。
 
 そのため、現代の省エネルギー問題に
直接貢献することができる新しい
半導体デバイス研究開発分野における
大きなブレークスルーであると同時に、
近い将来の半導体産業の更なる発展に
つながることを期待させる成果です。
 
 なお、本研究成果の詳細は、
2013年6月24日(月)から
米国ノートルダム大学で開催される
半導体電子デバイスに関する国際会議
「Device Research Conference (DRC2013)」
にて、発表(レートニュース)を予定して
います。
 
 本研究の一部は、独立行政法人
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)
の委託事業である、平成23~25年度
「省エネルギー革新技術開発事業 挑戦研究
(事前研究一体型)/課題名:
超高耐圧酸化ガリウムパワーデバイスの
研究開発」により実施しました。
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>今後、その優れた物性を生かした
>Ga2O3デバイスに関する研究開発が、
>世界的に急速かつ本格的に広がると
>予想されます。
 
>高性能Ga2O3パワーデバイスは、
>グローバルな課題である省エネ問題
>に対して直接貢献するとともに、
>日本発の新たな半導体産業の創出という
>経済面での貢献も併せて期待されます。
 
>近い将来、送配電、鉄道といった高耐圧
>から、電気、ハイブリッド自動車応用
>などの中耐圧、更にはエアコン、冷蔵庫
>といった家電機器などで用いられる
>低耐圧分野も含めた非常に幅広い領域
>での応用が見込まれます。
 だそうです。
 
 ずいぶん持ち上げてますね。
 素晴らしい成果のようです。
 大いに期待したい。

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