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2012年11月19日 (月)

半導体メモリー:記録密度10倍に 北大チームが開発

毎日新聞 2012年11月17日
 
詳細は、リンクを参照して下さい。
 
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 コンピューターの情報処理に欠かせない
「半導体メモリー」の容量を増やす新たな
技術を、北海道大の海住英生助教(35)
らの研究チームが開発した。
 
 記憶容量を現在の限界値より格段に
増やせる可能性があるという。
 
 現在は光を使って書き込まれ、パソコン
などでの線幅は35~45ナノメートル。
 
 しかし「国際半導体技術ロードマップ」
によると、今の技術で線幅を縮めても
10ナノメートル前後で頭打ちとなり、
記憶容量は2022年ごろに限界を迎える
ため、代替技術が研究されている。
 
 チームは、基板の材料としても
使われるニッケルや金などの金属を、
厚さ5~20ナノメートルの薄膜に加工。
 その膜の厚みをメモリー線として使い、
書き込みに必要な電流の制御に成功。
 理論上、書き込む密度を現状の
約10倍に増やせるという。
 
 この技術では発熱の原因となる電気抵抗
も1000分の1以下に抑えられた。
 
 海住助教は「より多くの情報を処理でき、
省エネにもなる。
 実用化を目指したい」と話す。
【斎藤有香】
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 良さそうですね。
 また一つ壁を突破できそうです。

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