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2012年5月17日 (木)

室温で半導体ゲルマニウムに電子スピン情報を入力

室温で半導体ゲルマニウムに
電子スピン情報を入力
-超省電力トランジスタ実現へ
道を拓く-

2012年5月8日 産業技術総合研究所

詳細は、リンクを参照して下さい。

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 独立行政法人 産業技術総合研究所
【理事長 野間口 有】(以下「産総研」
という)ナノスピントロニクス研究センター
【研究センター長 湯浅 新治】
半導体スピントロニクスチーム 揖場 聡
研究員、Ron Jansen(ロン・ヤンセン)招聘
研究員、齋藤 秀和 研究チーム長は、

 世界で初めて次世代半導体材料の
p型ゲルマニウムの中へ、室温で磁性体の
スピン情報を入力することに成功した
(図1)。

 グリーンITは、クリーンで持続可能な
生活環境を守る上での柱となる技術であり、
現在、IT機器の省エネルギー化が求め
られている。

 このため、スピントロニクスと呼ばれる
新技術の導入により、電子デバイスの
消費エネルギーの劇的な削減を目指す研究
が盛んに行われている。

 この技術により、磁性体がもつ
電子スピン情報(電気を切っても情報は
失われない)を半導体中に入力して
演算に利用できることが見込まれるため、
超省電力のスピントランジスタの実現が
期待されている。

 今回の成果は、ゲルマニウムを用いた
超省電力トランジスタ(スピントランジスタ)
の実現に道を拓くものであり、グリーンIT
の発展への貢献が期待される。

 なお、本技術の詳細は、2012年5月9日
にApplied Physics Express誌の
オンライン版に掲載される。
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スピントランジスタ開発への一歩ですね。
期待します。

実際にトランジスターとして動作するもの
が実現するのはいつ頃の話なんでしょう?

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